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联电年度股东会上，联电共同总经理简山杰强调，携手与英特尔共同开发12nm制程平台将是英特公司技术发展重点，预计在2026年研发成功、尔开2027年实现规模化生产。程平产

今年初，台预联电与英特尔宣布将携手打造12nm FinFET制程平台，计年以满足移动设备、完成通信基础设施及网络市场的年量高速增长需求。

此次长期战略合作将借助英特尔在美国的联电大规模制造能力以及联电丰富的成熟制程晶圆代工经验，拓展制程组合，携手为全球客户提供更优质的英特供应链服务，助力其做出明智的尔开采购决策。

联电共同总经理王石表示，程平产联电与英特尔在美国开展12nm FinFET制程合作，台预是公司追求经济高效产能扩张和技术节点升级策略的重要环节，这也是公司对客户始终如一的承诺。

该合作将帮助客户顺利过渡至关键技术节点，同时受益于北美市场产能的扩大所带来的供应链稳定性。他期待与英特尔深化战略合作关系，充分发挥各自优势，拓宽潜在市场，加速技术创新步伐。

股东会期间，简山杰还详细介绍了联电12nm FinFET制程平台相较于前代14nm FinFET的显著优势，包括芯片尺寸减小、功耗降低等，充分发挥了FinFET的性能、功耗和闸密度优势，可广泛应用于各类半导体产品。他透露，联电12nm FinFET制程平台将于2026年研发成功，2027年实现规模化生产。